MJD122T4 ST Microelectronics составной транзистор (Дарлингтона) NPN, 100 В, 8 А, TO-252 (DPAK)

Артикул: 119801
48.77 ₽ / шт.
2435 в наличии
Производитель: ST Microelectronics
MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.
ТипСоставной транзистор (Дарлингтона)
Тип проводимостиNPN
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В100
Максимальный постоянный ток коллектора, А8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт20
Коэффициент усиления hFE мин.1000
КорпусTO-252 (DPAK)
Вес брутто0.54