| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N+P |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 / -30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4 / -3 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 50 / 100 |
| Заряд затвора, нКл | 25 |
| Описание | 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 1В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 1.4 Вт |
| Вес брутто | 0.23 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |