| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | 2N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 4,7 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 43 |
| Заряд затвора, нКл | 24 |
| Описание | 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 1В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 2 Вт |
| Вес брутто | 0.24 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*36/4000 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |