| Тип | IGBT |
| Описание | 600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) |
| Максимальный ток | коллектора (Iк max) - 11,7 А |
| Напряжение | насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V |
| Диапазон рабочих температур | -40…+175 °С |
| Время | задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс |
| Ток утечки | затвор-эмиттер - 100 nA |
| Максимально допустимое напряжение | коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 30 Вт |
| Вес брутто | 2.16 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220F |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |