STD10NM60N, N-канальный MOSFET транзистор ST Microelectronics, 600В/10А, корпус TO-252

Артикул: 119802
68.64 ₽ / шт.
2000 в наличии
Производитель: ST Microelectronics
ТипMOSFET
Тип проводимостиN
Максимальное напряжение сток-исток, В600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А10
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм550
Емкость, пФ550
Заряд затвора, нКл19
ОписаниеN-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
Напряжениепороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток (Vgs) ± 25 В
Мощностьрассеиваемая (max) - 70 Вт
Вес брутто0.56
Транспортная упаковка: размер/кол-во67*45*51/2000
Способ монтажаповерхностный (SMT)
КорпусTO-252 (DPAK)
УпаковкаREEL, 2000 шт.
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1