| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 1000 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 5 |
| Емкость, пФ | 980 |
| Заряд затвора, нКл | 80 |
| Описание | MOSFET 1000V N-CH HEXFET |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 4В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Время | задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 125 Вт |
| Вес брутто | 2.82 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Упаковка | TUBE, 1000 шт. |