IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies, 100В, 12.2мОм, 26нКл, серия OPTIMOS, корпус TO-252-3

Артикул: 121612
102.07 ₽ / шт.
2480 в наличии
Производитель: Infineon Technologies
ТипMOSFET
Тип проводимостиN
Максимальное напряжение сток-исток, В100
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм12,2
Емкость, пФ2500
Заряд затвора, нКл26
ОписаниеMOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Напряжениепороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Времязадержки включения/ выключения - 24/ 14 нс
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток (Vgs) ± 20 В
Мощностьрассеиваемая (Pd) - 94 Вт
Вес брутто0.55
Способ монтажаповерхностный (SMT)
КорпусTO-252 (DPAK)
УпаковкаREEL, 2500 шт.