| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 50 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 3 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 130 |
| Емкость, пФ | 290 |
| Заряд затвора, нКл | 30 |
| Описание | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 3В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 2 Вт |
| Вес брутто | 0.23 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*51*41/4000 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |