| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 42 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 40 |
| Емкость, пФ | 1700 |
| Заряд затвора, нКл | 48 |
| Описание | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Время | задержки включения/ выключения - 84/ 15 нс |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 16 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 69 Вт |
| Вес брутто | 0.65 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |