| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 10 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 185 |
| Емкость, пФ | 440 |
| Заряд затвора, нКл | 20 |
| Описание | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Время | задержки включения/ выключения - 35/ 22 нс |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 48 Вт |
| Вес брутто | 0.64 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |