| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 20 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 3,7 |
| Емкость, пФ | 4310 |
| Заряд затвора, нКл | 51 |
| Описание | MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+155 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт |
| Вес брутто | 0.13 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |