| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | P |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -20 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 6,8 |
| Емкость, пФ | 5250 |
| Заряд затвора, нКл | 165 |
| Описание | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 1.8В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт |
| Вес брутто | 0.14 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | SOIC-8 |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. |