1N60G HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, SOT-223

Артикул: 124226
Наличие уточняйте
Производитель: HXY
1N60G N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 600 Вольт, максимальный ток стока 1 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.6 А). Входная ёмкость 119 пФ. Заряд затвора 4 нКл
ТипMOSFET
Тип проводимостиN
Максимальное напряжение сток-исток, В600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А1
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм12000
Емкость, пФ119
Заряд затвора, нКл4
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Вес брутто0.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во40*40*21/4000
Способ монтажаповерхностный (SMT)
КорпусSOT-223
УпаковкаREEL, 4000 шт.